S-Metro是专业且统一的大容量计量数据分析解决方案！提供自动化优势，准确快速评估计量数据，并获得完整的功能，不管是计量数据导入、图像处理、轮廓提取还是可视化和分析都提供你想要的一切，获得准确的报告，在整个过程中都具有一致性和透明性，并支持离线分析，有效节省用户的时间，提高生产力。
功能特色
1、应用程序
Synopsys S-Metro是一个通用工具，可以根据两个参数分析任何多维数值观测矩阵。这些观测值（输入数据）通常是一系列特征的CD，这些特征是测量或模拟的，是曝光剂量和散焦（偏离标称焦点位置）的函数。其他典型的指标可以是抗蚀剂轮廓的侧壁角度或抗蚀剂厚度损失。图2显示了图形用户界面。所有导入数据集的层次树允许对数据进行选择、排序、分组或过滤。各种图表类型可用于可视化输入数据和分析结果。
基于输入的计量数据，Synopsys S-Metro确定工艺性能指标，如工艺纬度或工艺窗口大小。矩形或椭圆形配合便于比较在不同工艺条件下获得的工艺窗口，并允许报告和记录光刻工艺性能。如果加载了多个数据集，应用程序可以确定所选数据系列的重叠过程窗口，如图2所示。
数值计量数据的可视化和统计分析是Synopsys S-Metro中的一个关键应用。数据平滑的专用功能可用于减少数据量和消除测量噪声。附加功能可用于消除无效数据或对单个数据点应用权重，支持后续任务的数据准备，如校准严格或紧凑的抗蚀剂模型。
各种格式的SEM计量数据导入Synopsys S-Metro。直接支持日立高新技术应用材料公司的数据结构。也可以处理每个测量点的相关SEM图像。此外，Synopsys S-Metro在加载特定目录的所有数据方面提供了高度的灵活性，并有助于对数据进行分类、排序和过滤
2、轮廓提取和分析
Synopsys S-Metro的核心功能是从SEM图像中快速、稳健地提取轮廓，无论是否可以访问相应的布局信息。有多种算法可供选择，允许用户根据图像质量和对比度透明地调整提取参数。可以处理来自任何来源的任何图像。Synopsys S-Metro支持用户找到最佳提取参数，包括将提取的轮廓与给定的CD测量结果进行匹配。
如果GDS或OASIS布局信息可用，Synopsys S-Metro可以通过调整数据的平移、旋转和放大倍数，利用这些信息将图像与布局对齐。所有布局操作都通过布局工具（如Synopsys Silicon WorkBench或Synopsys Proteus WorkBench）提供支持。
单个图像的轮廓提取可以并行化，允许在短时间内处理多达数万张图像。Synopsys S-Metro的基础设施已针对高数据量进行了优化，可对超大数据集进行高效过滤和排序
Synopsys S-Metro支持各种平均技术，以提高轮廓质量的图像对比度。如果有多个冗余图像可用，可以在图像或轮廓级别进行平均，这可以在数据有噪声的情况下显著提高轮廓质量。
随后，可以将设计目标或另一个轮廓（例如模型轮廓）作为参考，分析轮廓数据的边缘放置误差。提取的轮廓可以导出为GDS或OASIS文件，边缘放置误差（EPE）分析结果以直方图或热图等形式报告。
在掩模计量数据的情况下，提取的轮廓可以输入Synopsys S-Litho™等严格的模拟工具，根据真实的掩模数据预测光刻工艺的结果。角圆角参数的分析和提取提供了有关掩模制造过程的宝贵信息，这些信息可用于在校准严格或紧凑的光刻模型时提高整体模型质量。
Synopsys S-Metro还能够研究单个视场（FOV）内名义上相同的特征之间的均匀性和可变性，例如接触孔阵列（图3）。在提取感兴趣区域内所有特征的轮廓后，结果会自动分解为孤立的多边形，然后进行平均。可以分析各种结果参数，包括放置误差和可变性，或每个接触孔轮廓的封闭区域。图3b显示了FOV内所有接触孔的间距X数据的分布，图3c显示了所有特征的接触孔面积的分布。
当涉及到代表给定光刻胶工艺的模型的校准时，印刷在晶片上的更复杂的2D特征的轮廓正成为人们越来越感兴趣的话题。一些图像已经可以覆盖设计空间的很大一部分，从而能够基于很少的数据点构建抗蚀剂模型。数据收集、工具和工程时间大大减少，同时模型质量和预测能力得到提高。
通过自动化和脚本可以轻松实现复杂的任务或集成到流程中，因为所有Synopsys S-Metro功能都可以通过API访问